多結晶ダイヤモンドスラリーは、GRISH社製高精度で分級された多結晶ダイヤモンド粒子と分散剤で調和しており、お客様の用途やご要望に合わせたオリジナルのダイヤモンドスラリーを製造することが可能です。主にサファイア、SICウェハー、セラミックなど高い精度を必要とするラッピングやポリッシング加工には最適です。
GRISH社製ダイヤモンドスラリーは、ダイヤモンドのタイプにより単結晶ダイヤモンド、RCDダイヤモンドの二種類があります、厳選されたダイヤモンド粒子と分散剤で調和しており、お客様の用途やご要望に合わせたオリジナルのダイヤモンドスラリーをご製造することが可能です。主に金属材料、サファイア基板、セラミックなど高い精度を必要とするラッピングやポリッシング加工には最適です。
CMPスラリーはサファイア、SICウェハー、窒化アルミニウム、セラミックス、金属材料などのポリッシュ加工専用に最適化されたシリカスラリーです、粒子径の均一性に優れ、分散安定性が高く、均一でかつ良好な仕上げ面が得られます。お客様のご要望により用途や使用条件に応じたオリジナルの研磨スラリーをご提供できます。
GRISH製シリカスラリーは、高純度シリコンパウダーを原材料として、弊社独自の加工技術により製品化された低金属イオン型の研磨液で、ナノレベルの表面仕上げ用として幅広く使われています。主にシリコンウェーハ、化合物半導体、精密光学部品、サファイアウェーハなどの表面仕上げ加工に使われています。
爆轟ナノダイヤモンドスラリーは、GRISH社製高精度で分級されたナノダイヤモンド粒子と分散剤で調和しており、お客様の用途やご要望に合わせたオリジナルのダイヤモンドスラリーを製造することが可能です。主にSICウェハー、精密セラミックなど高い精度を必要とするラッピングやポリッシング加工には最適です。
当社は、炭化ケイ素（SIC）、窒化アルミニウム（AlN）、窒化ガリウム（GaN）、ヒ化ガリウム（GaSa）、リン化インジウム（InP）などの化合物半導体に対応する研磨プロセスと精密研磨材をご提案いたします、 またはお客様からお預かりした材料などの受託加工（OEM）も承っております。
CO/AO/SC系スラリーはお客様のご要望に合わせてオリジナル精密研磨剤のご提供ができます、原料の砥粒は酸化セリウム（CO）、酸化アルミナ（AO）、炭化ケイ素（SC）からお選び頂けます。また分散安定性が高く、均一でかつ良好な仕上面が得られます。ガラス基板、化合物結晶体、セラミック、光ファイバ・光コネクタ、金属などの多くの材料の精密仕上げに最適です。
GRISH社製B4C用のルブリカントは、高品質な水溶性ルブリカントで、主にサファイア両面加工工程向け、 B4C研磨スラリー配合用に開発された製品です。潤滑性と冷却性が高く、研削効果に優れ、ワークの加工効率を高めることで、コストダウンが期待できます。
