化合物半導体ポリッシングスラリー
当社は、炭化ケイ素（SIC）、窒化アルミニウム（AlN）、窒化ガリウム（GaN）、ヒ化ガリウム（GaSa）、リン化インジウム（InP）などの化合物半導体に対応する研磨プロセスと精密研磨材をご提案いたします、 またはお客様からお預かりした材料などの受託加工（OEM）も承っております。
仕様
項目 | 酸化アルミナ（AO） | 測定方法 |
粒度（nm） | 200-500 | レーザー回析散乱法 |
粒子形状 | 類球状 | SEM |
pH値 | 9-13 | pH計 |
粘度（cst） | ＜20 | 粘度計 |
濃度（%） | 10-30% | --- |
特徴
当社が推奨する化合物半導体ポリッシングスラリーは、主にリン化インジウム（InP）とヒ化ガリウム（GaSa）チップの裏面ポリッシュ加工専用に最適されたポリッシングスラリーです。研磨レートが速く、表面状態（Ra、TTV、LTV）が良好で、歩留まりが高いという優れた特性を備えています。
代表的な加工例：
対象物：リン化インジウム（InP）、ヒ化ガリウム（GaSa）
設備：LJTK
◆一次ポリッシュ：薄く加工（15-30min）
酸化アルミナスラリー（3-10µm）が石英定盤とセットする。
◆二次ポリッシュ：裏面ポリッシュ（30-40min）
①リン化インジウム（InP）：化合物半導体ポリッシングスラリーが精密研磨パッドとセットする。
②ヒ化ガリウム（GaSa）：化合物半導体ポリッシングスラリー or CMPスラリーが精密研磨パッドとセットする。
